超聲波局部放電測(cè)試儀

來(lái)源：m.02595e.com 更新時(shí)間：2020-08-21

超聲波局部放電測(cè)試儀

簡(jiǎn)介：
MEJFD-4000 超聲波局部放電測(cè)試儀是測(cè)量、分析電力設(shè)備絕緣性能的專用儀器；本系統(tǒng)采用現(xiàn)代電子和計(jì)算機(jī)綜合技術(shù)，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大（模擬、電子、數(shù)字）、濾波、數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)處理、圖形顯示、試驗(yàn)報(bào)告自動(dòng)生成，從而完成局部放電的測(cè)量，分析。
本儀器攜帶方便、測(cè)量快速，抗干擾能力強(qiáng)，便于現(xiàn)場(chǎng)使用。其配置軟件具有時(shí)域圖形、2D、3D統(tǒng)計(jì)圖譜、報(bào)警歷史、歷史zui大、脈沖計(jì)數(shù)等功能，軟件也可以詳查分析某個(gè)相位波形，窗口隨意放大和縮小，也可以對(duì)該段數(shù)據(jù)進(jìn)行頻譜分析，分析放電波形的頻譜含量，使放電波形之間更具可比性，全面統(tǒng)計(jì)分析試驗(yàn)數(shù)據(jù)，減少試驗(yàn)中非穩(wěn)定性因素對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的影響。采用自動(dòng)或手動(dòng)記錄保存試驗(yàn)數(shù)據(jù)和瞬態(tài)放電波形，可對(duì)后期數(shù)據(jù)分析提供參考。

超聲波局部放電測(cè)試儀引用標(biāo)準(zhǔn)
1.高壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的共用技術(shù)要求 DL/T 593
2.3.6kV～～40.5kV 交流金屬封閉開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 DL/T 404
3.3.6kV～～40.5kV 交流金屬封閉開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 GB 3906
4.局部放電測(cè)量GB/T 7354
5.電力設(shè)備局部放電現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量導(dǎo)則 DL/T 417
6.高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第一部分：一般試驗(yàn)要求 GB/T 16927.1
7.高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第二部分：測(cè)量系統(tǒng) GB/T 16927.2
8.高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第3 部分: 現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)的定義及要求 GB/T 16927.3

超聲波局部放電測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：

技術(shù)特性
通道數(shù)	2個(gè)電信號(hào)接口，一個(gè)外同步接口
采樣率	0.5M、1M、2.5M、5M、10M、20M可選
采樣精度	12bit
量程切換	60dB、40dB、20dB、0dB、-20dB共5檔
頻帶范圍	20k-100kHz、80k-200kHz、40k-300kHz
本量程非線性誤差	5%
顯示
顯示屏	7” TFT真彩色觸摸液晶顯示屏
分辨率	800×480
存儲(chǔ)
物理存儲(chǔ)	256MB DDR2，為運(yùn)行內(nèi)存
SD卡存儲(chǔ)	標(biāo)配16G卡，可升級(jí)為32G，用于存儲(chǔ)試驗(yàn)記錄及試驗(yàn)數(shù)據(jù)
接口
RS232	用于與PC機(jī)同步傳輸接口
USB	可外接鼠標(biāo)鍵盤，以及外接移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備
電源模式	電池供電（16.8V鋰電池）+外置電源（18V）可連續(xù)提供8小時(shí)供電
電信號(hào)接口	2路BNC接口(前后面板各兩個(gè))，用于信號(hào)輸入
SMA接口	外同步接口
SD卡插槽	可插入zui大支持32G的SD卡
網(wǎng)口	可擴(kuò)展
接地鈕	外部接地用
通用說(shuō)明
CPU	主頻533MHz
系統(tǒng)	WINCE6.0
使用環(huán)境溫度	-20℃至45℃
存儲(chǔ)環(huán)境溫度	-20℃至60℃
尺寸	長(zhǎng)×寬×高：249mm × 216mm × 167mm
重量	4.7kg

超聲波局部放電測(cè)試儀現(xiàn)場(chǎng)干擾及處理方法
1) 戶外架空線的強(qiáng)電暈干擾會(huì)對(duì)開關(guān)室的進(jìn)線柜及相鄰柜的超聲波和暫態(tài)對(duì)地電壓測(cè)試值造成影響。
2) 主變冷卻器等大電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)由于內(nèi)部線圈的轉(zhuǎn)動(dòng)會(huì)在外殼產(chǎn)生較高的暫態(tài)對(duì)地電壓測(cè)試值，進(jìn)而對(duì)開關(guān)室的進(jìn)線柜及相鄰柜的超聲波和暫態(tài)對(duì)地電壓測(cè)試值造成影響。
3) 蓄電池屏柜和直流屏柜由于內(nèi)部的整流電路，其暫態(tài)對(duì)地電壓測(cè)試值會(huì)異常高，但影響范圍小，在2、3 米開外即可忽略。
4) 靠近燈源會(huì)使超聲波測(cè)試值異常大。
5) 屋頂日光燈損壞后鎮(zhèn)流器不停啟動(dòng)會(huì)導(dǎo)致暫態(tài)對(duì)地電壓測(cè)試值提高很多，其影響范圍較大，可以覆蓋一個(gè)主控室或高壓開關(guān)室。
6) 開關(guān)柜背面的帶電指示器會(huì)造成暫態(tài)對(duì)地電壓測(cè)試值偏高。
7) 有些電子電路版、控制箱等會(huì)產(chǎn)生一定的干擾，對(duì)暫態(tài)對(duì)地電壓測(cè)試值產(chǎn)生影響，但影響范圍僅限于與其連接的金屬面，且不超過(guò)0.5m 的距離，如消防控制箱、開關(guān)柜就近控制保護(hù)屏等。
8) 鬧市區(qū)的構(gòu)架暫態(tài)對(duì)地電壓測(cè)試值受車輛等原因影響很大，但存在房屋的屏蔽措施時(shí)，內(nèi)部的設(shè)備受影響較小。
9) 人耳可聽(tīng)的聲音等會(huì)對(duì)超聲波測(cè)試帶來(lái)極大干擾。
10) 電暈放電可明顯增大超聲測(cè)試法的數(shù)值，且其聲響與開關(guān)柜內(nèi)部產(chǎn)生的聲音基本類同。
11) 超聲測(cè)試法的干擾源影響距離一般較小，且有一定的方向性。
現(xiàn)場(chǎng)干擾的處理：
1) 關(guān)閉干擾源，如一些室內(nèi)的排風(fēng)扇、日光燈等。
2) 采用不同的時(shí)間進(jìn)行測(cè)試。
3) 避開無(wú)線電及其它電子裝置的干擾信號(hào)。
4) 通過(guò)局部放電定位儀確定信號(hào)的傳播方向來(lái)確定與被測(cè)設(shè)備相距較遠(yuǎn)的放電干擾源等方法實(shí)現(xiàn)。